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TP44100SG

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产品型号 TP44100SG
制造商 Tagore Technology
产品介绍 GAN FET HEMT 650V .09OHM 22QFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 500mA, 6V Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 11mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 6 V Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package22-QFN (5x7)
Package / Case22-PowerVFQFN

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