CGD65B130S2-T13
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| 产品型号 | CGD65B130S2-T13 |
|---|---|
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 产品介绍 | 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. 我们努力为客户提供 Cambridge GaN Devices品牌的产品CGD65B130S2-T13 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 4.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 12 V | Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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