GPIHV10DK
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| 产品型号 | GPIHV10DK |
|---|---|
| 制造商 | GaNPower |
| 产品介绍 | GaNFET N-CH 1200V 10A TO252 我们努力为客户提供 GaNPower品牌的产品GPIHV10DK 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 6 V | Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 700 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
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GPIHV10DK是一款高性能、可靠性强的单 FET、MOSFET
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