CGD65A055S2-T07
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| 产品型号 | CGD65A055S2-T07 |
|---|---|
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 产品介绍 | 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W 我们努力为客户提供 Cambridge GaN Devices品牌的产品CGD65A055S2-T07 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 12 V | Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 16-DFN (8x8) |
| Package / Case | 16-PowerVDFN |
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