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SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3
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产品型号 SIHP11N80AE-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds804 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)78W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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