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TP2535N3-G

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产品型号 TP2535N3-G
制造商 Microchip Technology
产品介绍 MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)350 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86mA (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds125 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)740mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-92-3
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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