TK10E80W,S1X
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| 产品型号 | TK10E80W,S1X |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 产品介绍 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- 我们努力为客户提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的产品TK10E80W,S1X 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4.8A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 300 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) | Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
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