GCMX080B120S1-E1
SemiQ图片仅供参考。
有关产品详细信息，请参阅产品规范。
放心在凌创辉购买GCMX080B120S1-E1
有关产品详细信息，请参阅产品规范。
放心在凌创辉购买GCMX080B120S1-E1
我们有10000+的商品库存，并可获得大量短期和定期的交付周期资源。请向我们询价价格和供货情况。
| 产品型号 | GCMX080B120S1-E1 |
|---|---|
| 制造商 | SemiQ |
| 产品介绍 | SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 我们努力为客户提供 SemiQ品牌的产品GCMX080B120S1-E1 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 20 V | Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1336 pF @ 1000 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 142W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount | Supplier Device Package | SOT-227 |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
GCMX080B120S1-E1 相关的关键词
GCMX080B120S1-E1是一款高性能、可靠性强的单 FET、MOSFET
，如果您在找GCMX080B120S1-E1，由知名制造商SemiQ设计生产，产品说明：SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227，这款单 FET、MOSFET
汇聚了多项优势。
凌创辉电子建立了完善的供应链体系，可以为您提供 GCMX080B120S1-E1 的现货或期货供应。我们致力于满足您的需求，确保及时供货和竞争性的价格。
凌创辉电子提供可靠，稳定的原厂原装SemiQ 品牌， 型号 GCMX080B120S1-E1 供应链解决方案，如您需要 GCMX080B120S1-E1 （产品说明：SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227' ，这款单 FET、MOSFET ），请与我们联系，我们将为您提供短交期现货以及常规原厂排单订货报价，具体信息请联系凌创辉电子专业销售团队。
凌创辉电子建立了完善的供应链体系，可以为您提供 GCMX080B120S1-E1 的现货或期货供应。我们致力于满足您的需求，确保及时供货和竞争性的价格。
凌创辉电子提供可靠，稳定的原厂原装SemiQ 品牌， 型号 GCMX080B120S1-E1 供应链解决方案，如您需要 GCMX080B120S1-E1 （产品说明：SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227' ，这款单 FET、MOSFET ），请与我们联系，我们将为您提供短交期现货以及常规原厂排单订货报价，具体信息请联系凌创辉电子专业销售团队。
扫一扫，微信咨询