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GCMS040B120S1-E1

GCMS040B120S1-E1
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产品型号 GCMS040B120S1-E1
制造商 SemiQ
产品介绍 SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C57A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3110 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)242W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Supplier Device PackageSOT-227
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC

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