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2N7002KQBZ

2N7002KQBZ
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产品型号 2N7002KQBZ
制造商 Nexperia
产品介绍 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C720mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 720mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.92 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)420mW (Ta), 4.2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Supplier Device PackageDFN1110D-3
Package / Case3-XDFN Exposed Pad

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