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CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL
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产品型号 CDM22010-650 SL
制造商 Central Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 650V 10A TO220
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V Vgs (Max)30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1168 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 156W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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