CDM22010-650 SL
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产品型号 | CDM22010-650 SL |
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制造商 | Central Semiconductor |
产品介绍 | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 我们努力为客户提供 Central Semiconductor品牌的产品CDM22010-650 SL 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | Vgs (Max) | 30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1168 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 156W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220-3 |
Package / Case | TO-220-3 |
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