FBG10N30BSH
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| 产品型号 | FBG10N30BSH |
|---|---|
| 制造商 | EPC Space |
| 产品介绍 | GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B 我们努力为客户提供 EPC Space品牌的产品FBG10N30BSH 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V | Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 4-SMD |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
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