G630J
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| 产品型号 | G630J |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 产品介绍 | N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3. 我们努力为客户提供 Goford Semiconductor品牌的产品G630J 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-251 |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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