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PJQ5427_R2_00001

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产品型号 PJQ5427_R2_00001
制造商 PANJIT
产品介绍 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8593 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 63W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDFN5060-8
Package / Case8-PowerVDFN

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