GC11N65M
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| 产品型号 | GC11N65M |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 产品介绍 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 我们努力为客户提供 Goford Semiconductor品牌的产品GC11N65M 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 768 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263 |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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