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GT045N10M

GT045N10M
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产品型号 GT045N10M
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4198 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)180W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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