SI2319DDS-T1-GE3
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| 产品型号 | SI2319DDS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品介绍 | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 我们努力为客户提供 Vishay / Siliconix品牌的产品SI2319DDS-T1-GE3 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.7A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 20 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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