IPD65R380E6ATMA1
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| 产品型号 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 产品介绍 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 我们努力为客户提供 Infineon Technologies品牌的产品IPD65R380E6ATMA1 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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