TP65H035G4WS
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| 产品型号 | TP65H035G4WS |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 产品介绍 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 我们努力为客户提供 Transphorm品牌的产品TP65H035G4WS 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 0 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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