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XP263N1001TR-G

XP263N1001TR-G
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产品型号 XP263N1001TR-G
制造商 Torex Semiconductor Ltd.
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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