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SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3
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产品型号 SIA817EDJ-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
产品介绍 MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK® SC-70-6 Dual
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual

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