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FDC5614P

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产品型号 FDC5614P
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds759 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSuperSOT™-6
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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