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NVF2955T1G

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产品型号 NVF2955T1G
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 750mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds492 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223 (TO-261)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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