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STW56N60DM2

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产品型号 STW56N60DM2
制造商 STMicroelectronics
产品介绍 MOSFET N-CH 600V 50A TO247
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)360W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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