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RFP2N08

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产品型号 RFP2N08
制造商 Harris Corporation
产品介绍 N-CHANNEL, MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05Ohm @ 2A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)25W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

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