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FQP3N50C

FQP3N50C
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产品型号 FQP3N50C
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 N-CHANNEL POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)62W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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