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IRF123

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产品型号 IRF123
制造商 International Rectifier
产品介绍 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)40W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-3
Package / CaseTO-204AA, TO-3

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