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DMTH10H4M5LPSW

DMTH10H4M5LPSW
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产品型号 DMTH10H4M5LPSW
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 107A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4843 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)4.7W (Ta), 136W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Supplier Device PackagePowerDI5060-8 (Type UX)
Package / Case8-PowerTDFN

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