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IRFB23N20DPBF

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产品型号 IRFB23N20DPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 SMPS HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1960 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 170W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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