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IRF640NSPBF

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产品型号 IRF640NSPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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