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IRLR3410PBF

IRLR3410PBF
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产品型号 IRLR3410PBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 5 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)79W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD-Pak
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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