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IRF7473PBF

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产品型号 IRF7473PBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 4.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3180 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SO
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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