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IRFL024NPBF

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产品型号 IRFL024NPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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