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IRF1310NSPBF-INF

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产品型号 IRF1310NSPBF-INF
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 HEXFET POWER MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 22A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 160W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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