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TQM025NH04LCR RLG

TQM025NH04LCR RLG
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产品型号 TQM025NH04LCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6228 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)136W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Supplier Device Package8-PDFNU (4.9x5.75)
Package / Case8-PowerTDFN

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