DMN2029UVT-7
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产品型号 | DMN2029UVT-7 |
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制造商 | Diodes Incorporated |
产品介绍 | MOSFET N-CH 6.8A TSOT26 我们努力为客户提供 Diodes Incorporated品牌的产品DMN2029UVT-7 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TSOT-26 |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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