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DMN2009UFDF-7

DMN2009UFDF-7
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产品型号 DMN2009UFDF-7
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27.9 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1083 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageU-DFN2020-6 (Type F)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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