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DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7
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产品型号 DMN10H220LVT-7
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.87A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds401 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.67W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSOT-26
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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