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DMTH69M8LFVWQ-13

DMTH69M8LFVWQ-13
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产品型号 DMTH69M8LFVWQ-13
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.9A (Ta), 45.4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 13.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1925 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank Supplier Device PackagePowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Package / Case8-PowerVDFN

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