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DMT10H032LFDF-7

DMT10H032LFDF-7
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产品型号 DMT10H032LFDF-7
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.9 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds683 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.3W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageU-DFN2020-6 (Type F)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad

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