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DMT12H090LFDF4-13

DMT12H090LFDF4-13
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产品型号 DMT12H090LFDF4-13
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)115 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds251 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)900mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageX2-DFN2020-6
Package / Case6-PowerXDFN

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