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KFJ4B01100L

KFJ4B01100L
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产品型号 KFJ4B01100L
制造商 Nuvoton Technology Corporation
产品介绍 TMOS
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds459 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)360mW (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package4-CSP (0.8x0.8)
Package / Case4-XFLGA, CSP

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