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DMT10H009SSS-13

DMT10H009SSS-13
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产品型号 DMT10H009SSS-13
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 42A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.8 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2085 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type- Supplier Device Package-
Package / Case-

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