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STU3N65M6

STU3N65M6
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产品型号 STU3N65M6
制造商 STMicroelectronics
产品介绍 MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.75A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)45W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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