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TSM1NB60CW

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产品型号 TSM1NB60CW
制造商 Taiwan Semiconductor
产品介绍 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds138 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.1W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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