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ZXMN4A06GQTA

ZXMN4A06GQTA
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产品型号 ZXMN4A06GQTA
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT223 T&R
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds746 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223-3
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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