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ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC
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产品型号 ZXMN6A09KQTC
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 7.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1426 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)10.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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