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DMT8008SCT

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产品型号 DMT8008SCT
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C111A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.4W (Ta), 167W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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