TP65H480G4JSG
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| 产品型号 | TP65H480G4JSG |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 产品介绍 | MOSFET 650V, 480mOhm 我们努力为客户提供 Transphorm品牌的产品TP65H480G4JSG 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 8 V | Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 13.2W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 2-PQFN (5x6) |
| Package / Case | 2-PowerTSFN |
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