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IPC218N04N3X7SA1

IPC218N04N3X7SA1
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产品型号 IPC218N04N3X7SA1
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 MV POWER MOS
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDie
Package / CaseDie

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